PVD

PVD主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气,藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后,可将靶材原子一个个溅击出来,并使被溅击出来的材质(通常为铝、钛或其合金)如雪片般沉积在晶圆表面。 PVD以真空、溅射、离子化或离子束等方法使純金属揮發,与碳化氫、氮气等气体作用,加熱至400~600°C(約1~3小時)後,蒸鍍碳化物、氮化物、氧化物及硼化物等1~10μm厚之微細粒狀薄膜。 PVD可分為三种技術: (1)蒸鍍(Evaporation); (2)分子束外延成長(Molecular Beam Epitaxy MBE); (3)濺鍍(Sputter)