氧化物的生长和沉积

生成氧化层最简单的方法是在有氧环境下加热硅wafer。如果用纯净的干氧气,最终的氧化膜叫做干氧化层。图2.7 是一种典型的氧化设备。Wafer被装在叫做wafer 船的fused sillica架子上。Wafer 船被慢慢的送入电加热覆盖物包裹着的fused silica管中。随着wafer船进入加热区的中央,wafer的温度慢慢升高。氧气进入管子吹过每一个wafer的表面。在升高的温度后,氧分子最终穿过氧化层扩散到底下的硅。氧和硅反应,氧化层渐渐的更厚了。随着氧化层的增厚,氧扩散的速度越来越慢,所以生长速度随着时间降低。如表2.1所示,高温能加速氧化层的生长。晶体方向也会影响氧化速度,(11