日立与瑞萨合作开发512KB相变存储模块

为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求,日立有限公司(Hitachi)与瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布开发出运行于1.5V电源电压的512KB(相当于4Mb)相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA(Micro安培)写入操作电流的“低功耗相变存储单元”,两家公司开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。 新开发的电路技术具有以下特性。 写电路技术有助于利用小电流实现高速写入 (1)两步电流控制的数据写入方法 高速写入是利用控制两步写入过程中流经相变薄膜的电流来实现的,