元器件应用中的NXP发布最新一代低VCEsat晶体管其功率损耗可减少80%

恩智浦半导体发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1安培时低于60毫瓦)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。 华硕公司研发处主任郑庆福表示:“卓越的节能性能是华硕科技(ASUSTek)非常关注的一项重要性能,也是我们获得世界首个笔记本电脑TCO’99认证的关键因素。通过与恩智浦的合作,我们有众多高品质BISS晶体管可以选择,并能够以最佳价格成本设计开发各种创新型高