元器件应用中的单结晶体管的结构

单结晶体管的结构如图一a所示,在一块高电阻率的N型硅片两端制作两个电极,分别叫第一基极b1,和第二基极b2。在硅片的另一 侧靠近b2处制作一个PN结,并在P型半导体上引出电极e。 在图一(b)所示的等效电路中,RBB为b1和b2极间的纯电阻,称为基区电阻,其阻值一般在2-10kΩ之间。Rb2为基极b2与发射极e之间的电阻,在正常工作时,Rb1将随发射极电流大而变化。PN结的作用相当于一个二极管VD。 图一 单结晶体管的内部结构及等效电路