元器件应用中的肖特基二极管(SBD)

一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅(Si)半导体材料制作的。20世纪90年代以来,出现了用砷化镓(GaAs)制作SBD。Si-SBD的特点是:正向压降PN结二极管的UDF低,仅为后者的1/2~1/3;trr约为10 ns数量级;适用于低电压(小于50 V)的功率电子电路中(当电路电压高于100 V以上时,则要选用PIV高的SBD,其正向电阻将增大许多)。此外,SBD是根据漂移现象产生电流的,不会积累,