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基础电子中的半导体电致发光基础理论

上传者: 2020-11-17 22:56:54上传 PDF文件 91.39KB 热度 25次
这种电致发光方式是由电场(电流)激发载流子,将电能直接转变为光能的过程,也称为场致发光。电子在从高能级向低能级跃迁的过程中,必然释放出一定的能量。如果能量以发射光子的形式释放,则称这种跃迁为辐射跃迁;反之,没有辐射出光子的跃迁就称为无辐射跃迁。半导体中的电子与空穴的非辐射复合主要包括:异质结界面态的复合、缺陷复合及俄歇复合。非辐射复合对于半导体激光器的量子效率、工作稳定性和可靠性等都带来不利影响。在半导体发光材料中,必须是辐射跃迁占优势,以提高光发射效率。辐射跃迁可以分为本征跃迁与非本征跃迁两种情况。 本征跃迁即为带间跃迁,导带的电子跃迁到价带,与价带空穴相复合,发射出光子。显然,这种带
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