电源技术中的高频开关的集成电路直接驱动

(1)应用条件。驱动芯片的浮地端可以与MOSFET源端同电位相连,驱动芯片PWM功率输出级能拉、灌电流500 mA,一般可以直接驱动数十安的MOSFET和IGBT。 (2)电路,其电路如图1所示,其中V3为被驱动的MOSFET,V1提供“拉”电流,V2提供“灌”电流。R1(5~10Ω)用米限制峰值电流,以减小尖峰干扰。R2为静态放电电阻(1≈100 kΩ),电路不通电时,保证CGS处在无电压状态,以防止V3长期处于导通状态,并使栅-源之间处在低电阻状态,不易受到外界的干扰,或使栅一源击穿。