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NAND闪速存储器的数据读操作

上传者: 2020-11-17 20:44:57上传 PDF文件 251.93KB 热度 28次
TC58V64的读操作如图1所示。随着指令,利用节指定读出开始地址,开始进行数据读操作,地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。 图1 TC58V64的读操作 读操作时地址的指定方法如表1所示。最先给予的数据称为列地址,后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64的存储器具有1024个块,由于各个块又分割成16个页,所以A22~A13为块号(块地址),A12~A19为块内的页号(块内的NAND地址)。 表1 指定地址的方法 读指令如果是00h,则A8=“0”,如果读指令为01h,则A8=“1”,所以没有指定 A8的位。 A22~Al13:块地址
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