元器件应用中的BiCMOS工艺单片集成光电接收器

由于CMOS工艺通常只提供单电压工作,不允许探测器电压高于电路工作电压,而且深亚微米的CMOS只采用低电 压工作,这就减小了探测器耗尽区宽度,影响了探测器速度。因此采用BiCMOS工艺以解决低电压对探测器速度的 影响。在BiCMOS工艺中利用N+隐埋层集电极作为探测器阴极,P+源/漏注入形成阳极,低掺杂外延层形成探测器 I层,这样就形成了纵向PIN结构。由于P型隔离层将PIN的N+阴极限制在光电二极管区域,起到了隔离探测器和 CMOS器件的作用,因此可以在光电二极管的两端加上较大电压,使得耗尽区宽度增大,同时使载流子以饱和速度 漂移,大大提高了速度。 图1即是采用0.6μm BiCMOS