显示/光电技术中的脊宽和脊高对载流子密度的影响

首先考虑脊高对注入载流子密度的影响。我们这里考虑到脊高是图1中刻蚀掉的深度矽。为了保证单模条件,这个深度一定要小于6.5/2=3.25 gm,所以我们在图1中假设了3.2pm,这个深度对光场的限制较强;用Silvaco进行模拟,并给出模拟结果, 下面我们考虑保证单模条件下将莎值减小到2pm。利AA线和BB线的结果分别如图1和图2所示。 图1 垂直方向载流子浓度的变化 图2 水平方向载流子浓度的变化 由图1可以看出,沿AA方向的载流子密度受脊高的影响不大,即使在光场比较集中的地方变化也较小;沿BB方向,差别最大的位置也不过相差了1%左右,所以脊高对载流子密度