电源技术中的飞兆针对便携应用推出MOSFET器件FDZ391P

为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P。该器件采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL-CSP封装,将RDS(ON)和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40%,可满足下一代手机、MP3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低RDS(ON)(74mOhm typical@-4.5V VGS),能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能(1.9