基础电子中的VCSEL光腔的设计

在多对DBR结构中,若中间区域某一层的厚度偏离1/4个波长,则在该结构中会形成驻波。最简单的情况是将中间的间隔设定为半波长,这样可以与两边的DBR层一起,构成了一个小的F-P谐振腔。VCSEL的光腔厚度约为一个波长左右,如图所示。光腔中的有源层两边围着高带隙的包层。低带隙的有源层和高带隙的包层材料中的导带和价带的偏移,限制了载流子的移动。为了在谐振腔里提供光增益,制作多量子阱结构,F-P腔的光场最大值就在中心处。将量子阱位置与光场最大值处交叠,量子阱就可以提供最大的增益。例如,对应于发射波长650 nm,780 nm,850 nm,980 nm和1300 nm,其量子阱材料分别为InGaP,A