温度自适应性DRAM刷新时钟电路

0 引 言 动态存储器中的数据以电荷形式存储在电容中,因为MOS晶体管漏电,电荷会逐渐漏失,最终造成数据丢失。所以,动态存储器就需要不断对数据进行刷新,补充电荷。由于漏电流的大小受温度影响较大,导致电荷在存储器电容中的保持时间随着温度改变而改变。传统的刷新电路产生刷新信号的时钟周期是预先设计好的,固定不变,无法根据温度的变化自己调节周期,因此,传统的刷新电路设计的刷新时钟是基于高温的情况,刷新频率很快,这样就使得常温的时候刷新比较频繁,消耗大量功耗。 本文提出一种具有温度自适应的刷新时钟电路,其频率随着温度上升而上升。电路由基本的MOS管构成,利用了Diodes方式(二极管方式)连