东芝开发出MIS型晶体管栅极绝缘膜积层技术

东芝开发出了新型栅极绝缘膜积层技术,该技术可适用于16nm级以后LSI用的MIS型晶体管。该技术是一种在高介电率(high-k)栅极绝缘膜及锗(Ge)沟道之间插入“SrGex(Strontium Germanide)”界面层的工艺技术。可同时实现较高的载流子迁移率和栅极绝缘膜积层结构的薄化。 此前,MIS型晶体管的通道多用Si材料。但随着晶体管的微细化,因材料本身的限制,很难获得足够的驱动电流。所以,该公司采用了载流子迁移率更高的材料Ge,并对适用于该材料的栅极积层结构进行了开发。此前已知栅极绝缘膜采用二氧化锗(GeO2),可获得较高的载流子迁移率。然而该材料的介电率较低,无法实现16n