元器件应用中的Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺,将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半:在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32 mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。 Si8499DB采