元器件应用中的基于功率MOSFET设计考量

用作功率开关的MOSFET 随着数十年来器件设计的不断优化,功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动,加快了这些产品的市场渗透速度。上世纪80年代,平面栅极功率MOSFET首度面向高压器件,BVDSS电压范围达到500-600V,取得市场的成功。在这个时期,功率MOSFET的传导损耗主要取决于沟道密度、结型场效应管(JFET)阻抗和外延阻抗(参见图1)。随着半导体行业光刻设备越来越精密,提高了晶体管单元密度,传导损耗因而得以改善。光刻设备能够实现更高的单元密度,同时也促使功率MOSFET的BVDSS范围成功地下降到100V以内,实现了新的汽