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基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现

上传者: 2020-11-06 20:42:27上传 PDF文件 179.05KB 热度 13次
NAND写回速度快、芯片面积小,特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元,一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH),多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同,通常以16页或32页比较常见。
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