1、由于电荷存储效应,晶体管BE之间有一接电容,与Rb构成RC电路,时间常数较大影响了晶体管的导通和截至速度(即开关速度)。 2、加速电容作用。 (1) 控制脉冲低电平时,电路达到稳态时,晶体管截至,电容两端电压为零。 (2)控制脉冲高电平到来时,由于电容电压不能突变,电容需继续保持零,这样,晶体管基极B电压突变到高电平,使晶体管迅速导通;电容被充电到脉冲电平电压;进入到稳态,电容电压为脉冲电平电压。 (3)此后,当控制脉冲低电平到来时,由于电容电压不能突变,需继续保持脉冲电平电压,因此,基极电压从零(实际为be压降)跳变到负的脉冲电平电压,时得晶体管迅
