工业电子中的2SD315模块在IGBT驱动保护电路中的应用

1、引言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,从而成为当今电力电子行业的首选器件。 电力电子器件的发展水平在很大程度上决定了电力电子产品的发展水平,而目前电力电子器件受电压、电流水平的限制成为电力电子及