基于VSDP XcitePI的片上耦合干扰的快速验证方法

介绍了一种基于VSDP-XcitePI提取片上电源模型并仿真分析片上耦合干扰的快速验证流程,使用XcitePI基于芯片版图对Die上金属层寄生快速准确地提取生成芯片级/宏模块级的RLCK模型/S参数模型,对一款高性能混合信号前端芯片进行数字-模拟间干扰分析,将Die上电源网络及指定关键信号的金属层寄生模型带入全链路联合仿真,较好地复现了测试现象。所分析芯片面积为1.44 mm2,分析精度达到支撑10 μV级的变化量,分析带宽超过5 GHz。此外,介绍了VSDP平台对S参数模型的后处理方法,确保全链路仿真的收敛性和高效率。