应用于802.11ac的SiGe BiCMOS低噪声放大器

基于IBM 0.36 μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5~6 GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感负反馈结构。模拟结果显示,在工作电压为5 V的情况下,当低噪声放大器工作时,HBT低噪声放大器工作稳定,常温下,整体的噪声系数为2.2 dB @ 5.5 GHz,小信号增益为13.3 dB,旁路噪声系数为7.2 dB @ 5.5 GHz,插入损耗为6.8 dB。当输入总功率为0 dBm的双音信号(-3 dBm/tone)时,输入三阶交调点约为10.2 dBm。