功率MOSFET雪崩击穿问题分析

分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用,寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET发生雪崩击穿时,器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。