电源技术中的基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计

摘要: 提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构, 并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析, 特别是基准电路和偏置电路,利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice 中仿真了采用0.6 μm 的n 阱互补金属氧化物半导体( CMOS) 工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0 V 电池充电禁止等功能, 可用于单节锂离子电池充电的一级保护。 0 引言 便携式电子产品正向轻量化、超小型化发展,为此锂离子电池得到广泛应用,比较常见的正极材料为钴酸锂和锰酸锂的锂离子电池,还有磷