元器件应用中的安森美半导体GaN晶体管——追求更快、更智能和更高能效

第三代半导体材料——氮化镓(GaN),作为时下新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势。与硅器件相比,GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃,广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计,以及电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域。为了满足市场对GaN的需求,安森美半导体与Transphorm联合推出第一代Cascode GaN,共同推动GaN市场的发展。 GaN的优势 从表1可见,GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度,和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率,这意味着开关过程的反向恢复时间可忽