集成电路中的Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ,把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 (5mm x 4.5mm)。这种配置可减少元件数量以及节省电路板空间,另外对要求配备多种器件的应用尤为重要,包括一系列工业检测系统或海事声呐设备内的超声波换能器。其它常见的应用有48V电信设备散热风扇的直流驱动电机,以及无线充电板线圈等电感负载。 DMHC10H170SFJ具有100V漏源极击穿电压 (BVDSS),提供充足的净空以支持48V电信轨和工业应用。它还配备5V的栅极电压,以简化