功率Mosfet参数介绍 上传者：qq_34266 2020-09-15 02:03:19上传 PDF文件 211.84KB 热度 51次 该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于:线的欧姆区。对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
