一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

文中设计的LDMOS器件主要是在耐压特性上做了改进,相对于RESURF技术、漂移区变掺杂、加电阻场极板、内场限环等技术而言,具有工艺简单,可控性强 的优点。其较高的抗击穿能力可适用于射频集成电路,如移动通信基站。当然,若将此器件应用于基站,还需要考虑射频LDMOS的其它电学特性,使器件的各个参数达到作为基站功率放大器的要求。