单晶太阳能电池双面抛光工艺研究

为了去除硅片表面损伤和脏污,提高单晶电池背钝化效果,采用KOH溶液对单晶原硅片进行了双面抛光。研究了刻蚀深度和金字塔尺寸的关系以及KOH质量分数、温度和反应时间对刻蚀深度和金字塔尺寸的影响。研究结果表明:金字塔尺寸随着刻蚀深度的增加而逐渐增大。随着刻蚀温度、时间的增加,溶液腐蚀速率加快,刻蚀深度和金子塔尺寸也有所提升。当KOH质量分数增加至35%时,刻蚀深度和金字塔尺寸反而有所下降。