论文研究 芳香族三唑甲亚胺和Tris衍生的可溶液加工材料:聚合物发光二极管的制备和空穴缓冲应用

这项工作介绍了一种新型的空穴缓冲材料TAZS的合成及其在聚合物发光二极管中的成功应用，以增强器件性能。 TAZS由芳族1,2,4-三唑基核与三个三羟基叔丁基末端通过偶氮甲胺键连接而成。 TAZS形成通过旋涂工艺沉积的不均匀薄膜。 根据循环伏安图估计，TAZS的HOMO和LUMO水平分别为-5.23 eV和-2.40 eV。 仅空穴和仅电子器件的电流密度结果证实了TAZS层具有强大的空穴缓冲能力。 通过旋涂工艺沉积空穴注入PEDOT：PSS，TAZS和TAZS（ITO / PEDOT：PSS / TAZS（x nm）/ SY / ETL / LiF / Al）厚度的多层PLED已成功制造。发光S