利用致辐射辐射诱导了178m2 Hf的31年异构体的衰变加速

使用哈尔科夫国立大学开发并安装在基辅核研究所的新实验装置研究了178m2 Hf异构体触发。 用30 keV电子束辐照厚度为300μm的单个Ta箔且具有178m2 Hf异构体活性为100 Bq的靶材。 观察到从178m2 Hf异构体衰变开始，所有最强基态能带（能量分别为213、325和426 keV）和8-能带（能量分别为216、495和574keV）的计数率都有所提高。 。 我们的数据与总触发效应1.55±0.12％一致。 光子诱发触发横截面的估计值接近于较早发表的有关178m2 Hf异构体触发的著作中获得的上限。