将LUX照射到违反同位旋的暗物质上超出领先水平

提出了违反同位旋的暗物质（IVDM）作为调和直接检测暗物质实验产生的正负结果冲突的可行方案。 我们表明，最低阶暗物质-核散射速率可以在手征展开中的下一至领先阶（NLO）处接收大的和依赖于核的校正。 这些校正的大小取决于暗物质与夸克口味和胶子的特定耦合。 通常，仅零能量质子和中子耦合不能充分描述整个NLO暗物质核截面。 在暗物质通过标量算子耦合到夸克的情况下，具体说明了这些陈述。 我们发现规范的IVDM方案可以调和无效的XENON和LUX结果，并且最近的CDMS-Si发现提供了其与第二代和第三代夸克的耦合位于特定的行上或被抑制了。 在存在非零重夸克耦合的情况下，发现具有新的中子-质子耦合比值的良