CEPC对e + e−→H(γγ)Z中希格斯质量测量的干扰影响国家自然科学基金资助(1137502111447018)美国新世纪大学优秀人才(NCET)(NCE

作为希格斯工厂的高发光度圆形电子正对撞机（CEPC）将有助于希格斯质量的精确测量。 仔细研究了在能量为246 GeV的未来e + e-对撞机上相关Z玻色子产生中希格斯双光子衰变模式的信号背景干扰效应。 对于从0.8 GeV到2 GeV的实验质量分辨率，质量偏移从大约20 MeV上升到50 MeV。