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论文研究 MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟 .pdf

上传者: 2020-07-18 00:42:39上传 PDF文件 250.92KB 热度 11次
MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟,夏春梅,贺朝会,用DESSIS器件模拟软件对MOSFET的单粒子效应进行了研究,模拟的结果与电荷漏斗模型[1]相吻合,表明了所建立的物理模型的正确性。在不同
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