论文研究 MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟 .pdf 上传者：CSDN阿坤 2020-07-18 00:42:39上传 PDF文件 250.92KB 热度 34次 MOSFET重离子源漏穿通效应的二维数值模拟，夏春梅，贺朝会，用DESSIS器件模拟软件对MOSFET的单粒子效应进行了研究，模拟的结果与电荷漏斗模型[1]相吻合，表明了所建立的物理模型的正确性。在不同 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
