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短弯曲晶体中高能质子的核脱沟道长度减少的观察

上传者: 2020-07-17 21:57:05上传 PDF文件 773.91KB 热度 21次
在CERN SPS上研究了短弯曲硅晶体对400 GeV / c质子的偏转。 结果表明,随着颗粒相对于晶面入射角的增加,脱沟道的概率增加,而脱沟道的长度减小。 去通道长度减小的观察结果提供了在平面通道的势阱中在横向能量的最高水平处粒子数量增加的证据。
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