石桥州具有边界的拓扑顺序和拓扑纠缠熵。 第一部分

在本文中，我们以2 + 1维玻色子拓扑顺序研究间隙边缘/界面，并研究拓扑纠缠熵如何对其敏感。 我们将对Ishibashi状态进行详细的分析，这些描述在Abelian Chern-Simons理论的背景下利用Anyon凝聚物理学来描述这些边缘/界面，然后将其推广到已知其边缘RCFT的更多非Abelian理论。 然后，我们将这些结果应用于计算不同拓扑阶数的纠缠熵。 我们考虑以下情况：系统驻留在具有空白边界的圆柱体上，并且缠结切口平行于边界。 我们还考虑了纠缠切口与圆柱体上的界面重合的情况。 在这两种情况下，我们都发现拓扑纠缠熵是由表征界面/边界的Anyon凝聚模式决定的。 我们注意到，在边缘理论中