来自局部暗物质超密度的宇宙射线正电子过量

我们表明，由PAMELA和AMS测量的宇宙射线正电子过量可能是由暗物质an灭在局部过密度中引起的。 在这种情况下，不需要亲脂性DM，并且与反质子和伽马射线测量结果相吻合，可以很好地拟合DM，消除WW，hh，ZZ，tt，bb，qq通道的DM。 经典的暗物质候选物，例如具有标准热an灭横截面的纯超对称Wino，可以适合过量的正电子，而无需在暗物质特性上进行任何其他假设。