论文研究 三孔二极管串ESD钳位电路的放电特性

在这项工作中，基于二维器件和混合模式仿真，详细分析了采用三阱技术作为ESD保护的VDD-VSS钳位器件的4二极管串的直流和瞬态特性。 结果表明，如果阳极偏压变高，则该器件中存在寄生pnp双极晶体管的作用，导致DC衬底泄漏的突然增加。 通过对2000 V PS模式HBM ESD放电事件的瞬态仿真，可以看出主要放电路径是由寄生pnpn晶闸管和寄生npn双极晶体管串联形成的。 提供了关于电流峰值处的阳极电流的各种电流分量的百分比比。 详细说明了利用三阱技术在二极管串钳内部进行ESD放电的机制，这在文献中从未基于模拟或测量来做过。