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GaAs薄膜发光改性研究进展

上传者: 2020-07-17 11:06:36上传 PDF文件 659.86KB 热度 27次
GaAs薄膜发光改性研究进展,肖卫,贾慧民,砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料。具有电子迁移率高、本征载流子浓度低、发光效率高等特性,广泛应用半导体光电器件中。对GaAs
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