1. 首页
  2. 移动开发
  3. 其他
  4. 高斯 贝涅特引力下背向反应对功率 麦克斯韦全息超导体的影响

高斯 贝涅特引力下背向反应对功率 麦克斯韦全息超导体的影响

上传者: 2020-07-17 04:57:25上传 PDF文件 628.78KB 热度 18次
我们通过考虑标量场和规范场对五维爱因斯坦-高斯-贝内特引力的背景几何形状的影响,通过分析和数字方法研究s波全息超导体的特性。 我们假设轨距场是功率-麦克斯韦非线性电动力学的形式。 我们将Sturm–Liouville特征值问题用于临界温度的解析计算和数值研究的射击方法。 我们的数值和分析结果表明,较高的曲率校正会影响具有反作用的全息超导体的冷凝。 我们观察到,后反应可以降低全息超导体的临界温度,而功率-麦克斯韦电动力学和高斯-邦尼系数项可能会提高全息超导体的临界温度。 我们发现,临界指数的平均场值为β= 1/2,而与高斯-邦尼系数,后反应和幂麦克斯韦参数无关。
下载地址
用户评论