钴离子注入单晶二氧化钛磁性来源与微结构研究
钴离子注入单晶二氧化钛磁性来源与微结构研究，钟火平，李公平，居里温度高于室温的稀磁半导体材料有望用于自旋电子学器件的开发，因此引起各国研究人员的关注。在室温下，能量为80keV，注量为1×1
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