二维S = 1 XY模型的希格斯和戈德斯通质量间隙的临界行为

用精确的对角线化方法研究了二维量子S = 1 XY模型的光谱性质。 在对称破坏阶段，出现了大规模的希格斯和无质量的戈德斯通激发，分别对应于自发磁矩的纵向和横向模式。 前者的激励分支嵌入后者的连续体中，很少关注细节，尤其是在临界点附近。 扩展交互参数可以改善有限大小缩放行为。 对这些质量间隙的临界振幅比进行了分析。