论文研究 用于高动态范围成像和通信应用的宽带隙材料OPFET UV检测器的分析

考虑到高分辨率的广义模型和前照式模型，通过对Wurtzite GaN，ZnO和6H-SiC的光场效应晶体管（OPFET）检测器的紫外（UV）光响应进行了深入分析，从而对其进行了估算。成像和紫外线通讯应用。 拟议研究的栅极材料是GaN的金（Au）和铟锡氧化物（ITO），SiC的Au，以及ZnO的Au和二氧化银（AgO2）。 结果表明，与先前研究的具有Au栅极的GaN OPFET（埋入栅，前照明和广义）模型相比，线性动态范围（LDR）有了显着改善。 广义模型比前照明模型具有更好的动态范围。 就响应度而言，包括埋栅OPFET在内的所有模型均显示出高且可比的光响应。 总体而言，埋入式栅器件比表面栅模型