论文研究 - 硅和III-V太阳能电池：从Modus Vivendi到Modus Operandi

在本文中，考虑了开发高效的基于Si和III-V的太阳能电池的一些新机会：在Si中形成pn结的节能环保型低温技术（1），结构完美的阐述GaAs / Ge / Si外延衬底（2）和基于立方氧化锆的保护性抗反射涂层的应用（3）。 结果：1）精心制作了在硅中形成pn结的新技术。 该技术提供了容易且相对便宜的生产半导体器件例如太阳能电池的过程。 所研究技术的本质在于通过杂质重新分布而在样品中形成大量的电导率，从而在硅中形成pn结，杂质的重新分布已在离子处理之前已经存在于样品中。 它与扩散和离子掺杂技术不同，在扩散和离子掺杂技术中，样品中的电导率变化和pn结的形成是由于从外部引入其他掺杂剂的原子而导致的。