28nm UTBB FDSOI与22nm TriGate FinFET评估:设计指南第一部分

如今，晶体管技术正朝着完全耗尽的架构发展。随着晶体管尺寸变得越来越小以实现高性能，特别是在节点28nm处，体晶体管的制造变得越来越复杂。这是讨论体晶体管的基本缺点并解释两种替代晶体管的两篇论文中的第一篇：28nmUTBBFD-SOICMOS和22nmTri-GateFinFET。随附的第二部分论文着重于这些替代方案及其物理性能，电气性能和可靠性测试之间的比较，以在选择不同的移动媒体和消费者的应用程序时正确设置首选项。