凹型掺杂层位置对GaN Gunn diode输运区中深能级缺陷分布影响 上传者：bbgoods 2020-06-03 13:20:57上传 PDF文件 438.68KB 热度 32次 凹型掺杂层位置对GaNGunndiode输运区中深能级缺陷分布影响，李亮，杨林安，本文首先通过Transmissionelectronmicroscopy(TEM)研究了凹形掺杂层位置对输运区长度1um的GaNGunndiode中刃位错分布的影响。相比顶部凹形槽掺� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
