论文研究应用于手机DDR控制芯片的延迟锁相环设计 .pdf
应用于手机DDR控制芯片的延迟锁相环设计，李军，李章全，本文设计了一种采用0.18umCMOS工艺，工作电压为1.8V,应用于手机DDR控制芯片端的延迟锁相环（Delaylockloop，DLL），对controller端延迟锁相环
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