一种新的半导体晶体生长方法——气相悬浮外延

美国贝尔研究所的H. Cox和S. Hummel发明了气相外延技术的一种变型技术,即如图所示的气相悬浮外延法。目的是研制光通信用长波长光源(半导体激光器和发光二极管等),可制作光纤传输损耗最低的1.55 μm波长用光学元件。该方法中,将一个圆片悬浮在啧气咀上,在两个晶体生长位置处往来,制作多层超薄膜晶体。