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控制器比较正弦方波

上传者: 2020-05-19 16:47:45上传 DOC文件 197.5KB 热度 25次
每个MOSFET的栅源极之间反向并联的18V稳压二极管很好,可以避免尖峰电压脉冲击穿栅源极,但是与之并联10K的电阻将驱动电荷给放掉了(结合IR2110的内部原理图分析),而且在此过程中使得MOS管进入放大区导致过热烧毁,可以把这个电阻去掉试试看;另外如果采用IGBT,推荐使用IRF的600V产品,耐压和电流余量放大些,在2110的VCC和COM之间靠近2110处再接一个4.7微法的独石电容,驱动信号如果是TTL电平,那么就将VDD接5V电源,以保证驱动信号兼容TTL电平
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