低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究.pdf

Name: 低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究.pdf
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Author: sjzbxyz

上传者：sjzbxyz 2020-05-18 13:41:52上传 PDF文件 1.14MB 热度 38次

研究了激光器的调Q特性，调Q抽运阈值为2W。在抽运功率9.2W时，获得的最短脉冲半峰全宽为15ns，最大单脉冲能量为4.84微J，最高峰

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